光刻机作为芯片制作的中心设备，其对硅晶圆曝光精度的凹凸，规则着硅基芯片代工制程的上限。跟着摩尔定律的更迭，ASML于2017年推出的一代EUV光刻机，已不足以满意未来芯片规划商关于芯片功用的硬性需求。为了推进未来半导体职业的开展，连续摩尔定律，新一代EUV光刻机诞生了！
我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。本期为咱们带来的资讯是：改写认知！ASML新一代EUV光刻机曝光。功用拉至极限，芯片制程可达0.3纳米。
老规矩，开宗明义。2021年9月2日，荷兰ASML公司一手音讯：新一代极紫外光刻机部件已底子造好，将于2021年末运往荷兰维荷芬，2022年头将部件装入到早已规划好的新一代极紫外光刻机的“机箱”中。设备投产时刻暂定在2023年。
ASML公司曝光的新一代EUV光刻机NEX：5000，给人最直观的印象是“贵”、“大”。单是这台设备的造价，便到达了1.5亿美元，折合人民币约为9.7亿元，都快要赶上ASML一代EUV光刻机的价格。弥补一点：ASML一代EUV光刻机的价格为10亿元人民币。
除了贵，NEX：5000另一个特点是“大”。据悉，NEX：5000的巨细可以比美一辆长为12米、宽为10米的公交巴士。NEX：5000包含11~12万个部件和2公里长的电缆，是一个当之无愧的咱们伙。
NEX：5000的功用怎么呢？在此之前，咱们要知道决议光刻机设备技能水平凹凸的底子要素是什么？咱们咱们都知道，EUV光刻机是经过发射极紫外线，经过镜面折射来对硅晶圆进行曝光出产。抛去双工件台、EUV光学镜头这种物理性设备参数。紫外线波长是决议EUV光刻机制程精度凹凸的直接要素。一般来说，极紫外线波长越短，EUV光刻机曝光的精度越高、可完结曝光芯片的尺度就越小。
这样说或许有些空泛。拿深紫外光刻机举例，深紫外光刻机的波长为254纳米，合理制程在193纳米到10纳米之间。一代EUV光刻机的波长为13.5纳米，合理制程在7纳米到3纳米。新一代EUV光刻机的波长为8纳米，制程精度定在2纳米及2纳米以下制程。
关于NXE：5000的功用，ASML公司表明：比照一代EUV光刻机，NXE：5000的波长更短，功率更强，精度更高。经过屡次曝光、印章，硅晶圆芯片电路描画精度可达0.3纳米乃至到达的精度。乔治敦大学芯片制作研究院分析师威尔·亨特表明：NXE：5000将会推进摩尔定律持续向前开展。
但有一点，NXE：5000的价格，将会劝退不少的芯片代工厂商，究竟本钱价都快赶上一代EUV光刻机的价格。如此贵重的设备，其制备出来的芯片，想必报价也会更高。即使疏忽价格要素，装载2公里长电缆的NXE：5000耗电量、耗水量将会“更上一层楼”。拿台积电举例，单是十几台EUV光刻机，便让台积电非常头疼。
换句线极紫外光刻机算得上是一台具有跨年代含义的设备。但对NXE：5000，商家批量购买、ASML大规模出产的或许性不是很大，由于价格、制作难度和本钱摆在那里。未来NXE：5000的商场将会是ASML能否完成盈余收入连跳的首要难题。
虽然不想供认，但也要认清实际。新一代ASML极紫外光刻机的呈现，将会促进拉大咱们与国外之间的硅基半导体技能距离。特别是芯片代工牵扯到的芯片规划、PC端、智能手机事务。必需要分外留意，这儿所说的是硅基半导体范畴。现在咱们在芯片化合物材猜中的造就仍是很高的。例如中科院的石墨烯，云南大学的硫化铂等。
何况跟着新一代EUV光刻机的诞生，硅芯片的内置标准简直被掏空。未来硅基芯片可以持续成为半导体芯片的开展干流，也是一个问题。
仰视未来，兢兢业业。咱们在开展半导体工业的一起，也应该认清自己所在的方位。不骄不躁，也不要自暴自弃。既要探究、开发新式半导体技能，也要着力攻坚传统半导体技能壁垒，左右开弓。祝福咱们巨大的祖国繁荣昌盛，国产半导体职业益发昌盛，提前把握中心技能。谱写出一段归于咱们自己的“半导体美谈”。
关于ASML推出的新一代EUV光刻机，大伙有什么想说的呢？你以为未来人类半导体科技是持续连续硅基半导体革新，仍是另谋出路，拓荒出一条簇新的半导体路途呢？结合我国现在的石墨烯资料开展现状，石墨烯能否成为相等、赶超国外半导体技能的一张“主力”呢？欢迎在下面进行留言、谈论。
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